難熔金屬，一般包括鎢、鉭、鉬、鈮、鉿、鋯和鉭，其熔點(diǎn)都在1600℃以上。鎢、鉬等合金材料高溫強(qiáng)度和蠕變性能好，被廣泛用于微電子，照明光源、武器系統(tǒng)、原子能等行業(yè)。鉭鈮極其合金具有較低蒸氣壓、低熱膨脹系數(shù)、優(yōu)秀的抗腐蝕性能，被廣泛用于航空航天、化工裝備、集成電路、核能部門。將難熔金屬制作成靶材可將其優(yōu)秀性能以薄膜的形式利用。

濺射用靶材有如下幾種分類方法：如按材質(zhì)分靶材可分為金屬靶、高分子陶瓷非金屬靶和復(fù)合材料靶等。如按外形尺寸可分為圓柱形、長(zhǎng)方形、正方形板靶和管靶。

因?yàn)橐话愠Ｒ姷姆桨袌A靶都為實(shí)心，在鍍膜作業(yè)中，圓環(huán)形的永磁體在靶的表面產(chǎn)生的磁場(chǎng)為環(huán)形，會(huì)發(fā)生不均勻沖蝕現(xiàn)象 ，濺射的薄膜厚度均勻性不佳 ，靶材的使用效率大約只有 20% ～30% 。而目前被推廣的空心管靶可繞固定的條狀磁鐵組件一定周期旋轉(zhuǎn)運(yùn)動(dòng)，靶面可被均勻刻蝕 ，優(yōu)勢(shì)明顯，將利用率提高到 80% 。

1、 鎢靶

鎢是難熔金屬熔點(diǎn)最高的一種，具有穩(wěn)定的高溫特性、抗電子遷移能力和較高的電子發(fā)射系數(shù)等諸多優(yōu)點(diǎn)。鎢及鎢合金靶在微電子、集成電路等行業(yè)中被大量使用。Al、Cu，Ag目前是集成電路制造用得最多的互連線材料，一般來(lái)說(shuō)介質(zhì)層是 Si或 SiO2 ，Al、Cu，Ag會(huì)向介質(zhì)中擴(kuò)散而形成硅化物，從而使金屬連線的電流強(qiáng)度急劇變?nèi)酰麄€(gè)布線系統(tǒng)功能可能會(huì)因此而崩潰。最好的解決方案是在布線與介質(zhì)之間再進(jìn)行屏蔽來(lái)阻擋擴(kuò)散層，阻擋層金屬是鎢鈦。大量試驗(yàn)證明，鎢鈦合金（鈦占10% ～30%）作為阻擋層已被成功地應(yīng)用于 Al、Cu和 Ag布線技術(shù)。由于金屬 鎢在其他金屬中原子的擴(kuò)散率較低，可阻擋擴(kuò)散，鈦可有效地阻止晶界擴(kuò)散，另一方面也提高了阻擋層的黏結(jié)力和抗腐蝕性能 。

鎢靶還被應(yīng)用于裝飾鍍膜行業(yè)，如手表、眼鏡、衛(wèi)生潔具、五金零件等產(chǎn)品，不僅能美化外觀，同時(shí)也具有抗磨損、腐蝕等功能。近些年來(lái)裝飾鍍膜用靶材的需求量日擴(kuò)大 。 國(guó)內(nèi)研發(fā) 鎢靶材的主要單位有上海鋼鐵研究所、北京安泰科技、西北有色金屬研究院、株洲硬質(zhì)合金集團(tuán)等。

2、 鉬靶

鉬具有高熔點(diǎn)、較低的比阻抗、高電導(dǎo)率、較好的耐腐蝕性而被廣泛用于 LCD 顯示屏、光伏電池中的配線、電極。還有集成電路的阻擋層材料。

金屬 Cr曾是 LCD 顯示屏配線的首選材料，如今超大型、高精度LCD 顯示屏發(fā)展迅速，這對(duì)材料的比阻抗提出了更高的要求。此外，環(huán)境保護(hù)也必須兼顧。金屬 鉬的膜應(yīng)力的比阻抗只有鉻的一半，且不會(huì)污染環(huán)境，諸多優(yōu)勢(shì)使金屬 鉬成為 LCD 顯示屏濺射靶材的最佳材料之一。

銅銦鎵硒（簡(jiǎn)稱“CIGS”）薄膜太陽(yáng)電池是一種最具有發(fā)展前景的薄膜太陽(yáng)能電池，具有光電轉(zhuǎn)換效率高、無(wú)衰退、性能穩(wěn)定、成本低廉等諸多優(yōu)點(diǎn)。在光伏領(lǐng)域，國(guó)內(nèi)外學(xué)者們對(duì) CIGS產(chǎn)生了極大的關(guān)注。CIGS薄膜太陽(yáng)能電池的第五層就是背電極，電池的性能受背電極材料直接影響。鉬濺射的薄膜熱穩(wěn)定性良好、電阻率較低、還能與 CIGS層結(jié)合形成 良好的歐姆接觸。同時(shí)金屬 鉬薄膜還具有與上下玻璃層和 CIGS近似的熱膨脹系數(shù)等特點(diǎn)，已成為薄膜太陽(yáng)電池背電極的必選材料 。 近些年來(lái)，全球的太陽(yáng)能電池需求量激增，每年遞增 40% 以上。據(jù)報(bào)道，目前世界薄膜太陽(yáng)能電池年發(fā)電總量約為660MW。 國(guó)內(nèi)研發(fā) 鉬靶的主要單位有金堆城鉬業(yè)、北京安泰科技、洛陽(yáng)高新四豐等。安泰科技公司采用壓制-燒結(jié)-熱等靜壓法制備的了大量鉬及其合金靶材，相對(duì)密度逸99%。

3、鉭靶

當(dāng)大規(guī)模集成電路進(jìn)入到深亞微米時(shí)代時(shí)，Al線對(duì)應(yīng)力遷移和電遷移的抵抗能力相對(duì)較弱，這將造成布線空洞，導(dǎo)致電路系統(tǒng)完全失效。因此，金屬Cu布線將成為主流。Cu比 Al具有更高的抗電遷移能力和更低的電阻率，這意味著更小、更密集的連線可以承載更強(qiáng)的電流。低電阻提高了芯片速度。目前全球 130nm、90nm 及以下的器件生產(chǎn)商已經(jīng)采用

Cu互連工藝，Ta成為Cu互連的阻擋層。目前，超大規(guī)模集成電路已逐漸發(fā)展為 Cu/Ta系 。因?yàn)?Cu和 Si的化學(xué)活性高，擴(kuò)散速度快，易形成銅硅合金（Cu-Si），銅在硅中形成深的空穴，設(shè)備的性能被嚴(yán)重影響，最終導(dǎo)致系統(tǒng)失效。鉭及鉭的化合物具有高熱穩(wěn)定性、高導(dǎo)電性和對(duì)外來(lái)原子的阻擋作用。

Cu和鉭以及 Cu和 N 之間不反應(yīng)，不擴(kuò)散形成化合物，因此鉭和鉭基膜成為阻擋層可有效防止銅的擴(kuò)散 。

我國(guó)鉭儲(chǔ)量資源豐富，但在過(guò)去對(duì)半導(dǎo)體濺射靶材缺乏最基本的認(rèn)識(shí)，從而限制了高純 鉭靶材的技術(shù)發(fā)展。在很長(zhǎng)一段時(shí)間內(nèi)，我國(guó)生產(chǎn)濺射靶材用的高純鉭原料主要依賴進(jìn)口。寧夏東方鉭業(yè)通過(guò)多年研發(fā)，掌握了高純鉭濺射靶材原料生產(chǎn)工藝方法，填補(bǔ)了國(guó)內(nèi)空白。寧波江豐電子材料股份有限公司也生產(chǎn)出了 300mm 高純鉭濺射靶材 。西安諾博爾稀貴金屬公司也掌握高純 鉭靶的生產(chǎn)工藝 。

4、 鈮靶

近些年，光電技術(shù)的發(fā)展迅速，鈮薄膜材料已廣泛應(yīng)用于與人們現(xiàn)代生活密切相關(guān)的 LCD、TFT等離子顯示屏、相機(jī)鏡頭鍍膜、光學(xué)鏡頭鍍膜、汽車和建筑工業(yè)用玻璃的制造中 。鈮靶材還用于表面工程材料，如化工耐腐蝕、船舶、耐熱、電子成像、信息儲(chǔ)存、高導(dǎo)電等鍍膜行業(yè) 。由于高的利用率，旋轉(zhuǎn)空心圓管磁控濺射靶目前在業(yè)內(nèi)得到廣泛推廣，鈮管靶主要應(yīng)用于平面顯示器、先進(jìn)觸控屏和節(jié)能玻璃的表面鍍膜等行業(yè)，對(duì)玻璃屏幕起抗反射作用。

我國(guó)研發(fā)鈮靶的主要單位有寧夏東方鉭業(yè)、西北有色金屬研究院等。據(jù)筆者了解，寶雞佳軍公司通過(guò)熔煉擠壓方式生產(chǎn)出了外徑 152mm，內(nèi)徑 125mm，長(zhǎng)度為 3900mm 的大型鈮管靶，平均晶粒尺寸達(dá)到了 75.5μm 。

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